Tässä hieman puolijohdesanastoa käännettynä arkikieleen. Hieman liippaa aihetta, mutta moderaattorit voi siirtää tarvittaessa. Kaikille sanoille ei välttämättä ole suoranaista käännöstä, joten se on aikamoista finglishiä työelämässä.
Aloitetaan:
Litographia: Alue puhdastilassa. Tällä alueella toimii yleensä photoresistin levitys (coater developing), jonka tehtävänä on levittää ohut kerros kemikaalia (photoresist) kiekon pinnalle. Kemikaali reagoi valon kanssa ja tällä tavoin voidaan kiekon pinnalle valottaa tai printata haluttu kuvio. Valotuslaitteet myös toimivat litographian alueella. Niitä voidaan kutsua termeillä projection aligner, scanner, stepper. Litographia-alueen tunnistat keltaisista valoista katossa. Tämän idea on leikata kattovalojen aallonpituus sellaiseksi, että se ei reagoi piikiekon pinnalla olevan herkän photoresistin kanssa. Litographia on tietynlaista valokuvaamista, jossa kiekon pintaan valotetaan tietty kuvio ja lopuksi se kehitetään, jotta kuva jää kiekon pinnalle.
Maski: Maskissa on kuvio, joka halutaan valottaa piikiekon pinnalle. Käytetään projection aligner, scanner ja proximity/contact valottimissa.
Retikkeli: Retikkelin idea on sama kuin maskin, mutta retikkeli koostuu pienemmistä kuvien osista. Retikkeliä käytetään pelkästään stepper laitteessa.
Pellikkeli: Suojaa maskia tai retikkeliä partikkeleilta. Sivuttu tässä ketjussa useasti.
Stepper: Tulee sanoista Step and Repeat. Stage liikkuu optiikan alla askeleen, käytettävä valo läpäisee retikkelin ja valottaa kiekon pintaan halutun kuvion. Sen jälkeen stage liikkuu uudelleen ja sama toistetaan.
Stage: Yleensä lineaarimoottoreilla toimiva yksikkö valotuslaitteen sisällä, joka liikkuu X-,Y- ja Z-suuntaan. Stagen päällä lepää wafer chuck.
Wafer chuck: Piikiekon peti, jolla se lepää kun valotus tapahtuu.
Scanner: Valotuslaite, joka scannaa kiekon pinnalle halutun kuvion. Stage liikkuu jatkuvasti X- ja Y- suuntaan.
Valonlähde: Valonlähteenä voidaan käyttää elohopelamppua tai ASML:n tapauksessa laseria. Valonlähde läpäisee maskin tai retikkelin, jonka jälkeen se yleensä menee optiikkaan (ajatelkaa vaikka valokuvakameran optiikkaa) ja siitä kohti piikiekkoa, johon lopuksi valotettava kuvio halutaan tehdä.
DUV: Deep ultaviolet, valonlähde, joka toimii n. 200 - 280 nm aallonpituudella.
EUV: Extreme ultraviolet, valonlähde, joka toimii n.13.5 nm aallonpituudella.
Dose: Energiamäärä, joka tapahtuu yhdellä valotuksella. Yleensä yksikkönä mJ/cm^2.
CD: Critical dimension, viivanleveys tai rakenteen koko, joka on valotuksessa tehty piikiekon pintaan. Älkää sekoittako tätä “Nodeen”.
DOF: Dept of Focus, toleranssi, jonka sisällä valotettava tulos on hyväksyttävän rajoissa.
Focus: Polttopiste, jossa valotettava tulos saa parhaan tuloksen. Yleensä kun puhutaan focuksesta, puhutaan stagen Z-liikkeestä.
L/S: Line and space. Yleensä valotuslaitteen suorituskykyä arvioidaan L/S-testillä, jossa halutun levyisiä viivoja valotetaan kiekon pintaan ja mitataan saavutettu viivanleveys.
Overlay: Verrataan kahden valotettavan kerroksen suhdetta toisiinsa.
Resoluutio: Valotuslaitteen optiikan suorityskyky. Mitä pienempi resoluutio, sitä pienempiä viivoja tai kuvioita voidaan valottaa piikiekolle.
Oheinen on hyvin pintaraapaisu puolijohdeteollisuuden litographiaan. Koitin selittää mahdollisimman yksinkertaisesti, ehkä siinä onnistumatta. Aina voi kysyä lisää.